半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管diode、三极管bjt、晶闸管scr、场效应晶体管mosfet、绝缘栅双极型晶体管igbt等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:sic.gan半导体功率器件。

接下来我们重点介绍应用广泛的二极管、三极管及mos管的特性及其电性能测试要点。

1、二极管

二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性元器件,产品结构一般为单个pn结结构,只允许电流从单一方向流过。发展至今,已陆续发展出整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、pin二极管、光电二极管等,具有安全---等特性。

器件特性：结压降、不能变，伏安特性要会看，正阻---反阻软，测量全凭它来管。

测试要点：正向压降测试vf、反向击穿电压测试vr、c-v特性测试

2、三极管

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结,两个pn结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。

器件特性：三极管，---，几个特性要记全，输入输出有曲线，各自不同有深浅。

测试要点：输入/输出特性测试、极间反向电流测试、反向击穿电压测试vr、c-v特性测试

3、mos管

mosfet金属―氧化物半导体场效应晶体管是一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件,可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。mosfet可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的---。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压vgsth、漏电流lgss、ldss,击穿电压vdss、低频互导gm、输出电阻rds等。

器件特性：箭头向里，指向n，n沟道场效应管;箭头向外，指向p，p沟道场效应管。

测试要点：输入/输出特性测试、阈值电压测试vgsth、漏电流测试、耐压测试、c-v测试

所以，何为电性能测试？半导体分立器件该如何进行电性能测试？

半导体分立器件电性能测试是对待测器件施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应,通传统的分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字万用表、电压源、电流源等。

实施半导体分立器件特性参数分析的---工具之一是“五合一”数字源表smu，集多种功能于一体。

---、稳定、---的电性能测试方案可为高校科研---、器件测试---及功率模块设计---提供测量所需的工具，---提高测试效率。此外,基于---的---数字源表，普赛斯还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、---的测试。

普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pa输出测量、3500v高压下n---测量、1000a脉冲大电流输出，全系列产品丰富，有关半导体参数分析仪支持高电压+大电流的更多详情请咨询普赛斯仪表！